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日本 三菱 返回上一頁
常年代理三菱 IGBT 模塊 PM75LA1200-300G PM25RLA12O-300G PM150RLA1200-300G 庫存 價格有競爭力
采用CSTBTTM硅片技術
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本優化的封裝
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內部寄生電感小
功率循環能力顯著改善
硅片結溫可高達175°C
硅片運行溫度最高可達150°C
內部集成NTC測溫電阻
封裝兼容第五代A/NF系列模塊
飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本優化的封裝
內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內部寄生電感小
功率循環能力顯著改善
應用領域
適合中、低端變頻器產品設計
采用第6代IGBT硅片技術，損耗低硅片結溫可高達175°C
硅片運行溫度最高可達150°C
內部集成NTC測溫電阻
封裝兼容第五代A/NF系列模塊